DB42∕T 643-2010 脱毒甘薯茎段快繁技术规程下载

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DB42∕T 643-2010 脱毒甘薯茎段快繁技术规程下载

软件类型:国产软件 授权方式:共享软件 软件大小:1.33 MB 文件类型:.pdf 运行环境:Win2003,WinXP,Win2000,Win9X 下载次数:
软件介绍
DB42∕T 643-2010 脱毒甘薯茎段快繁技术规程
1.单芽茎段培养
离体培养带一个芽的茎段,使顶芽或腋芽发育成苗。继代增殖培养时,再将新形成的苗按芽数或叶数分割成单芽茎段进行培养,新形成的叶腋中有腋芽,它会同顶芽一样分别发育成苗,如此继续下去,直到达到一定的苗数。
2. 继代培养
当丛生芽长到约(6~7) cm高时,及时地转入继代培养,激素组合为BA 0. 5mg/L +NAA 0.2 mg/L。以每茎节为1段进行剪切,放入继代培养基上进行培养,放在28C,光强度为(2000~3000) 1x培养室内,每天光照16h。经30d的培养,从茎节处萌发的芽可长到6cm高,再次剪切进行继代。
3.炼苗
无根苗生产达到一定数量后,有计划地将剪切的单节茎段移植到不含激素的1/2MS培养基上进行生根培养,当苗高6cm左右,在遮荫度80%的荫棚下炼苗7d,然后闭瓶强光炼苗,5d后开瓶炼苗。炼苗后栽植在含河沙和腐熟的有机肥混合的营养土上。
4.定植
选择无病虫的田块进行田间定植。垄宽50cm,沟深20cm,株距20cm,双行栽植,定植密度为每亩8000株。
 
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